产品型号  特性  频率覆盖  输出功率 增益

 PAE

 静态电流 封装形式 
 

1.针对北斗三号RDSS应用设计的高增益、高效率的L频段3W功率放大器芯片;

2.高增益、高效率、高集成度以及紧凑的封装尺寸;

3.采用GaAs HBT工艺设计

1610~1630MHz ≧35.8dBm@CW 41dB  ≧45%@P1dB , CW  500mA  6mm×6mm LGA20封装
  1.针对北斗三号RDSS应用设计的高增益、高效率的L频段2W功率放大器芯片;
2.高增益、高效率、高集成度以及紧凑的封装尺寸;
3.采用GaAs HBT工艺设计
1610~1630MHz ≧34dBm@CW 40.5dB ≧50%@P1dB , CW 200mA 4mm×4mm LGA16封装
  1.针对北斗三号RDSS应用设计的高增益、高效率的L频段1W功率放大器芯片
2.高增益、高效率、高集成度以及紧凑的封装尺寸;
3.采用GaAs HBT工艺设计
1610~1630MHz ≧31dBm@CW 39dB ≧50%@P1dB , CW 150mA 4mm×4mm LGA16封装
  1.高功率、高增益、高效率5W射频功率放大器芯片;
2.有良好的Ruggedness性能;
1600~1650MHz ≧38.4dBm@脉冲 27dB ≧42%@P1dB , CW 190mA 6mm×6mm LGA16封装
  1.高增益、高线性、高效率的S频段2W功率放大器芯片;
2.采用GaAs HBT工艺设计
1980~2010MHz ≧35.5dBm@CW

38dB

≧53%@P1dB , CW 500mA 6mm×6mm LGA20封装
  1.高增益、高线性、高效率的S频段2W功率放大器芯片;
2.采用GaAs HBT工艺设计
1980~2010MHz ≧35.8dBm@CW 38dB ≧42%@P1dB ,CW 370mA 5mm×5mm LGA16封装

 

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